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ダイヤモンド−半導体複合基板を製造する方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170558437
申请日
:
2016-05-11
公开(公告)号
:
JP2018514498A
公开(公告)日
:
2018-06-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B33/00
IPC分类号
:
C30B29/04
C30B29/38
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ダイヤモンド半導体整流素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006087937A1
,2008-07-03
[2]
ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja]
[P].
日本专利
:JP2022172207A
,2022-11-15
[3]
微細ダイヤモンドの製造方法及び微細ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007001031A1
,2009-01-22
[4]
単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JP7033824B1
,2022-03-11
[5]
インダゾール誘導体を作製する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018518477A
,2018-07-12
[6]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7700049B2
,2025-06-30
[7]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2022532554A
,2022-07-15
[8]
混合金属酸化物ダイヤモンドイドナノ複合材とナノ複合材を含む触媒系とを調製するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020520876A
,2020-07-16
[9]
ダイヤモンド基板上の絶縁膜の製造装置および製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7776173B1
,2025-11-26
[10]
半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020171054A1
,2021-12-16
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