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細長体を有する導電性素子のアレイを具えるマイクロ・ナノスケールキャパシタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150501773
申请日
:
2013-03-14
公开(公告)号
:
JP2015514315A
公开(公告)日
:
2015-05-18
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01G4/18
IPC分类号
:
H01G4/10
H01G4/33
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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共 50 条
[1]
ナノワイヤ・アクセス・トランジスタを有するDRAM[ja]
[P].
日本专利
:JP2015522948A
,2015-08-06
[2]
キャパシタ材料を有する溝部を備えるエネルギ貯蔵装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022502854A
,2022-01-11
[3]
インダクタ及び電磁シールドを有する堆積リアクタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022504358A
,2022-01-13
[4]
ナノ結晶コア及び絶縁コートを有するナノ結晶シェルを有する半導体構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2015504596A
,2015-02-12
[5]
複数のマイクロ押出成形ノズルを通して成形体をマイクロ押出成形する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021534973A
,2021-12-16
[6]
ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510144A
,2024-03-06
[7]
ピラーベース・メモリ・アレイを有する半導体チップ内での接点形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2024542367A
,2024-11-15
[8]
結晶酸化ケイ素を有するシリコンオンインシュレータ[ja]
[P].
日本专利
:JP2020524893A
,2020-08-20
[9]
ナノ結晶コア及びナノ結晶シェルを有する半導体構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2014534322A
,2014-12-18
[10]
プロファイル均一性を改善するためのコーナースポイラー[ja]
[P].
日本专利
:JP2017512894A
,2017-05-25
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