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半導体デバイスを処理するための方法および構造[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160530849
申请日
:
2014-07-21
公开(公告)号
:
JP2016535450A
公开(公告)日
:
2016-11-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
H01L21/301
H01L21/683
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電気接点を形成するための方法および半導体デバイスを形成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023504651A
,2023-02-06
[2]
半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7407324B1
,2023-12-28
[3]
半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
KIMURA KENTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
KIMURA KENTA
.
日本专利
:JP2024179575A
,2024-12-26
[4]
処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025170873A
,2025-11-20
[5]
処理液、基板の洗浄方法、および、半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017119244A1
,2018-10-25
[6]
処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017119334A1
,2018-10-25
[7]
半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、通信機器、および半導体レーザ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009066739A1
,2011-04-07
[8]
半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008010546A1
,2009-12-17
[9]
電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020510306A
,2020-04-02
[10]
電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7082984B2
,2022-06-09
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