半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20080525899

申请日：

2007-07-19

公开(公告)号：

JPWO2008010546A1

公开(公告)日：

2009-12-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/42 C23C16/455 H01L21/31

代理机构：

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共 50 条

[1]

処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025170873A ,2025-11-20

[2]

半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7407324B1 ,2023-12-28

[3]

半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KIMURA KENTA .

日本专利 :JP2024179575A ,2024-12-26

[4]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[5]

処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017119350A1 ,2018-09-27

[6]

半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板[ja] [P].

SHIBATA TOSHIAKI ;

HARADA KEN ;

KUSANO TOMOHIRO ;

TAKESHITA YUTARO ;

KAWASE YASUHIRO .

日本专利 :JP2022161970A ,2022-10-21

[7]

半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018174092A1 ,2020-01-30

[8]

処理液、基板の洗浄方法、半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018043440A1 ,2019-06-24

[9]

処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025129135A ,2025-09-04

[10]

処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025129134A ,2025-09-04

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