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基板貫通ビアを有する半導体デバイスおよび基板貫通ビアを有する半導体デバイスの製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20210526542
申请日：
2019-12-20
公开(公告)号：
JP2022511415A
公开(公告)日：
2022-01-31
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3205
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30
[2]
半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01
[3]
半導体ボディを製造する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023547246A ,2023-11-09
[4]
半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20
[5]
半導体デバイス構造、および、当該半導体デバイス構造を形成する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025128059A ,2025-09-02
[6]
光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17
[7]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
NGUYEN SON VAN ;
YAMASHITA TENKO ;
CHENG KANGGUO ;
THOMAS JASPER HAIGH JR ;
PARK CHANRO ;
ERIC LINIGER ;
LI JUNTAO ;
SANJAY MEHTA .
日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26
[8]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03
[9]
半導体デバイス用基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016507450A ,2016-03-10
[10]
半導体デバイス、半導体装置および半導体デバイス形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021500741A ,2021-01-07
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