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新規なシリルシクロジシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220511326
申请日
:
2020-08-13
公开(公告)号
:
JP2022545479A
公开(公告)日
:
2022-10-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07F7/21
IPC分类号
:
C23C16/18
C23C16/42
H01L21/205
H01L21/31
H01L21/316
H01L21/318
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
新規なシリルシクロジシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7337257B2
,2023-09-01
[2]
シクロシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025141946A
,2025-09-29
[3]
シリコン化合物およびこれを用いるシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025141947A
,2025-09-29
[4]
新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法およびこれを用いたシリコン含有薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6567131B2
,2019-08-28
[5]
新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法およびこれを用いたシリコン含有薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6366698B2
,2018-08-01
[6]
新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法およびこれを用いたシリコン含有薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP2016526051A
,2016-09-01
[7]
新規なシクロジシラザン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP2017507908A
,2017-03-23
[8]
シリコン前駆体およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021509765A
,2021-04-01
[9]
ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020517825A
,2020-06-18
[10]
ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7025447B2
,2022-02-24
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