改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20130536618

申请日：

2011-08-15

公开(公告)号：

JP5805203B2

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336

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法律状态信息

共 50 条

[1]

温度安定性に優れる金属酸化物薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2016502278A ,2016-01-21

[2]

改善されたソース／ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6012720B2 ,2016-10-25

[3]

金属酸化物、及び金属酸化物を有するトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019175698A1 ,2021-02-25

[4]

金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおける安定性の向上[ja] [P].

日本专利 :JP5711146B2 ,2015-04-30

[5]

酸化物半導体を有するトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019102316A1 ,2020-12-10

[6]

ＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタ、及びＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017507502A ,2017-03-16

[7]

薄膜トランジスタを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022537958A ,2022-08-31

[8]

改善された熱安定性を有するリチウムイオンバッテリ[ja] [P].

日本专利 :JP2018500737A ,2018-01-11

[9]

ＢａＡｌ２Ｏ４形成に対する改善された安定性を有するＮＯｘトラップ触媒支持材料[ja] [P].

日本专利 :JP2018509368A ,2018-04-05

[10]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099070A ,2024-07-25

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