ＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタ、及びＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタを形成する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160573708

申请日：

2015-03-06

公开(公告)号：

JP2017507502A

公开(公告)日：

2017-03-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/786

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共 50 条

[1]

改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP5805203B2 ,2015-11-04

[2]

改善されたソース／ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6012720B2 ,2016-10-25

[3]

薄膜トランジスタを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022537958A ,2022-08-31

[4]

トランジスタ及びトランジスタの作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022109267A ,2022-07-27

[5]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099070A ,2024-07-25

[6]

トランジスタを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021521629A ,2021-08-26

[7]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[8]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[9]

トランジスタ、電気デバイス、およびトランジスタを生産するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024530367A ,2024-08-19

[10]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

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