温度安定性に優れる金属酸化物薄膜トランジスタ[ja]

被引:0
申请号
JP20150547529
申请日
2013-12-12
公开(公告)号
JP2016502278A
公开(公告)日
2016-01-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L21/316 H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[3]
[4]
酸化物半導体薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP7681959B2 ,2025-05-23
[5]
金属酸化物膜及びトランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022172229A ,2022-11-15
[6]
薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108301A1 ,2015-05-11
[7]
薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009034953A1 ,2010-12-24
[8]
薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019106896A1 ,2020-11-19
[9]
薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108300A1 ,2015-05-11
[10]
薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011151990A1 ,2013-07-25