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温度安定性に優れる金属酸化物薄膜トランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150547529
申请日
:
2013-12-12
公开(公告)号
:
JP2016502278A
公开(公告)日
:
2016-01-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L21/316
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP5805203B2
,2015-11-04
[2]
金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおける安定性の向上[ja]
[P].
日本专利
:JP5711146B2
,2015-04-30
[3]
金属酸化物、及び金属酸化物を有するトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019175698A1
,2021-02-25
[4]
酸化物半導体薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP7681959B2
,2025-05-23
[5]
金属酸化物膜及びトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022172229A
,2022-11-15
[6]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108301A1
,2015-05-11
[7]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009034953A1
,2010-12-24
[8]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019106896A1
,2020-11-19
[9]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108300A1
,2015-05-11
[10]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011151990A1
,2013-07-25
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