半導体量子ドットの製造方法及び半導体量子ドット[ja]

被引：0

申请号：

JP20180509066

申请日：

2017-03-17

公开(公告)号：

JPWO2017169932A1

公开(公告)日：

2019-02-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C09K11/08

IPC分类号：

B82Y20/00 B82Y40/00 C09K11/54 C09K11/56 C09K11/58 C09K11/62 C09K11/66 C09K11/70 C09K11/74 C09K11/75 C09K11/88

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

半導体量子ドットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018056114A1 ,2019-03-22

[2]

量子ドット及び、その製造方法[ja] [P].

IIDA KAZUNORI ;

TSUTSUMI EMI ;

OGURA YUKO ;

TANAKA MASANORI ;

NIKATA SOICHIRO ;

TAKAMIZUMA YUKA .

日本专利 :JP2024016089A ,2024-02-06

[3]

ＩｎＰ量子ドットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019188679A1 ,2021-04-22

[4]

ＩＩＩ−Ｖ族／カルコゲン化亜鉛合金半導体量子ドット[ja] [P].

日本专利 :JP2016517454A ,2016-06-16

[5]

親水性量子ドットの製造方法[ja] [P].

NOJIMA YOSHIHIRO ;

AOKI SHINJI ;

TOBISHIMA KAZUYA .

日本专利 :JP2025000159A ,2025-01-07

[6]

ＩＩＩ−Ｖ族半導体ナノ粒子の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族半導体量子ドットの製造方法、及びフロー式反応システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018180456A1 ,2019-11-07

[7]

化合物半導体の量子ドットを含む膜[ja] [P].

日本专利 :JP7073981B2 ,2022-05-24

[8]

カーボン量子ドット、カーボン量子ドットの製造方法及び抗菌組成物。[ja] [P].

日本专利 :JP2022529223A ,2022-06-20

[9]

ペロブスカイト量子ドットの製造方法およびペロブスカイト量子ドット[ja] [P].

日本专利 :JP2025130436A ,2025-09-08

[10]

量子ドット及びその作製方法と応用[ja] [P].

日本专利 :JP2021506723A ,2021-02-22

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