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III−V族/カルコゲン化亜鉛合金半導体量子ドット[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150562389
申请日
:
2014-03-13
公开(公告)号
:
JP2016517454A
公开(公告)日
:
2016-06-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C09K11/08
IPC分类号
:
B82Y20/00
B82Y40/00
C09K11/70
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体量子ドットの製造方法及び半導体量子ドット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017169932A1
,2019-02-14
[2]
半導体量子ドットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018056114A1
,2019-03-22
[3]
III−V族半導体ナノ粒子の製造方法、III−V族半導体量子ドットの製造方法、及びフロー式反応システム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018180456A1
,2019-11-07
[4]
ワイドギャップIII-V族化合物半導体ドレインを有するSi-MOSFET、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7019218B2
,2022-02-15
[5]
ハロゲン化含フッ素(シクロ)アルケニル亜鉛化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5738486B2
,2015-06-24
[6]
ハロゲン化含フッ素(シクロ)アルケニル亜鉛化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6963263B2
,2021-11-05
[7]
カルコゲン含有化合物半導体の製造方法及び製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022531667A
,2022-07-08
[8]
AgCuカルコゲン化合物を主成分とする半導体ナノ粒子[ja]
[P].
日本专利
:JP7770657B2
,2025-11-17
[9]
ハロゲン化含フッ素(シクロ)アルケニル亜鉛化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013172337A1
,2016-01-12
[10]
III−V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015064094A1
,2017-03-09
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