ｐ型半導体材料および半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20130025334

申请日：

2013-02-13

公开(公告)号：

JP6108858B2

公开(公告)日：

2017-04-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C01G39/02

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/868 H01L31/06

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019145827A1 ,2021-01-28

[2]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7202319B2 ,2023-01-11

[3]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26

[4]

酸化物系半導体材料および半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP6150752B2 ,2017-06-21

[5]

電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP6329951B2 ,2018-05-23

[6]

電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP2015534702A ,2015-12-03

[7]

有機半導体材料、有機半導体構造物、および、有機半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003080732A1 ,2005-07-21

[8]

半導体装置、および半導体装置の製造方法[ja] [P].

HARADA YUSUKE .

日本专利 :JP2024103169A ,2024-08-01

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

MIYATA YUSUKE ;

HARAGUCHI TOMOKI ;

MINAMITAKE HARUHIKO ;

HOSHI TAIKI ;

AKAO MASAYA ;

KOKETSU HIDENORI .

日本专利 :JP2025126502A ,2025-08-29

[10]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7378693B1 ,2023-11-13

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