磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja]

被引：0

申请号：

JP20200510418

申请日：

2019-02-19

公开(公告)号：

JPWO2019187800A1

公开(公告)日：

2021-06-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/8239

IPC分类号：

H01F10/14 H01F10/16 H01L27/105 H01L43/08 H01L43/10

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共 50 条

[21]

磁気メモリ[ja] [P].

KOIKE MASAHIRO ;

MICHAEL ARNAUD QUINSAT ;

UMEZU NOBUYUKI ;

NAKANISHI TSUTOMU ;

SETIADI AGUNG ;

YAKABE KEIYA ;

HIRAYAMA SHIGEYUKI ;

KADO MASATERU ;

OTERA YASUAKI ;

NAKAMURA SHIHO ;

HASHIMOTO SUSUMU ;

KONDO TAKESHI .

日本专利 :JP2024044005A ,2024-04-02

[22]

磁気メモリ[ja] [P].

MICHAEL ARNAUD QUINSAT ;

SHIMOMURA NAOHARU ;

UEDA YOSHIHIRO ;

KONDO TAKESHI ;

UMEZU NOBUYUKI ;

HASHIMOTO SUSUMU ;

IWATA JUN ;

NISHIMURA YUKIE ;

KADO MASATERU ;

NAKANISHI TSUTOMU ;

OTERA YASUAKI .

日本专利 :JP2025116614A ,2025-08-08

[23]

磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005122259A1 ,2008-04-10

[24]

磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008090696A1 ,2010-05-13

[25]

磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011078018A1 ,2013-05-02

[26]

磁気抵抗効果素子、記憶素子、及び電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020158323A1 ,2021-11-25

[27]

磁気メモリー[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007015474A1 ,2009-02-19

[28]

磁気トンネル接合素子および磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017212895A1 ,2019-04-18

[29]

磁気メモリ素子の記録方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009128486A1 ,2011-08-04

[30]

磁気メモリ素子の記録方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009128485A1 ,2011-08-04

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