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磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja]

被引：0
申请号：
JP20200510418
申请日：
2019-02-19
公开(公告)号：
JPWO2019187800A1
公开(公告)日：
2021-06-17
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/8239
IPC分类号：
H01F10/14 H01F10/16 H01L27/105 H01L43/08 H01L43/10
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[41]
磁気メモリー素子及び不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010064476A1 ,2012-05-10
[42]
磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007119519A1 ,2009-08-27
[43]
不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009048025A1 ,2011-02-17
[44]
磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009101827A1 ,2011-06-09
[45]
スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020166722A1 ,2021-12-02
[46]
磁気抵抗素子および記憶回路[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016194886A1 ,2018-03-15
[47]
トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010143248A1 ,2012-11-22
[48]
磁気抵抗素子、磁気センサおよび電流センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015182645A1 ,2017-04-20
[49]
磁気抵抗素子、磁気センサおよび電流センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015182644A1 ,2017-04-20
[50]
磁壁移動型磁気記録素子及び磁気記録アレイ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019082323A1 ,2019-11-14
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