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ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20080557078
申请日
:
2008-01-31
公开(公告)号
:
JPWO2008096656A1
公开(公告)日
:
2010-05-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08G77/50
IPC分类号
:
C09D183/00
C09D183/08
C09D183/14
C09D185/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008020592A1
,2010-01-07
[2]
ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099811A1
,2010-05-27
[3]
組成物およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016539238A
,2016-12-15
[4]
ポリマーの製造方法、ポリマー、ポリマー膜形成用組成物、ポリマー膜の形成方法およびポリマー膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007119554A1
,2009-08-27
[5]
ポリマーの製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系絶縁膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008066060A1
,2010-03-04
[6]
化合物およびその合成方法ならびに重合体およびその合成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7125751B2
,2022-08-25
[7]
ケイ素含有膜形成組成物、およびそれを用いたケイ素含有膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024544635A
,2024-12-03
[8]
共重合ポリシラザン、その製造方法およびそれを含む組成物ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015163360A1
,2017-04-20
[9]
リン化合物、その合成方法およびその利用[ja]
[P].
日本专利
:JP7397227B1
,2023-12-12
[10]
導電膜形成用組成物および導電膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016031409A1
,2017-05-25
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