膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]

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申请号
JP20080529866
申请日
2007-08-14
公开(公告)号
JPWO2008020592A1
公开(公告)日
2010-01-07
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C09D183/14
IPC分类号
C08G77/04 C09D5/25 C23C16/42 H01L21/312 H01L21/768 H01L23/522
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[3]
絶縁膜用材料およびその成膜方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006109686A1 ,2008-11-13
[8]
多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007032261A1 ,2009-03-19