学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20080529866
申请日
:
2007-08-14
公开(公告)号
:
JPWO2008020592A1
公开(公告)日
:
2010-01-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C09D183/14
IPC分类号
:
C08G77/04
C09D5/25
C23C16/42
H01L21/312
H01L21/768
H01L23/522
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099811A1
,2010-05-27
[2]
化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119583A1
,2011-07-28
[3]
絶縁膜用材料およびその成膜方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006109686A1
,2008-11-13
[4]
ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008096656A1
,2010-05-20
[5]
ケイ素含有膜を形成するための方法、及び、その方法によって形成されるケイ素含有膜[ja]
[P].
日本专利
:JP2024526692A
,2024-07-19
[6]
絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010090038A1
,2012-08-09
[7]
ケイ素含有膜形成組成物、およびそれを用いたケイ素含有膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024544635A
,2024-12-03
[8]
多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007032261A1
,2009-03-19
[9]
ポリマーの製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系絶縁膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008066060A1
,2010-03-04
[10]
絶縁被膜形成用処理液の製造方法および絶縁被膜付き鋼板の製造方法ならびに絶縁被膜形成用処理液の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020036006A1
,2020-08-27
←
1
2
3
4
5
→