学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
絶縁膜用材料およびその成膜方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20070512950
申请日
:
2006-04-06
公开(公告)号
:
JPWO2006109686A1
公开(公告)日
:
2008-11-13
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/312
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010090038A1
,2012-08-09
[2]
膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008020592A1
,2010-01-07
[3]
ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005068538A1
,2007-12-27
[4]
ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005068539A1
,2007-12-27
[5]
ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099811A1
,2010-05-27
[6]
成膜方法および成膜装置[ja]
[P].
WATANABE YOSHIMASA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
WATANABE YOSHIMASA
;
UMEZAWA KOTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
UMEZAWA KOTA
;
ISHII KATSUTOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
ISHII KATSUTOSHI
.
日本专利
:JP2025066851A
,2025-04-24
[7]
成膜方法および成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014024406A1
,2016-07-25
[8]
成膜方法および成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003019645A1
,2004-12-16
[9]
化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119583A1
,2011-07-28
[10]
成膜装置及びその成膜方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005087973A1
,2008-01-31
←
1
2
3
4
5
→