複合圧電基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090546984

申请日：

2008-10-23

公开(公告)号：

JPWO2009081651A1

公开(公告)日：

2011-05-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H03H3/08

IPC分类号：

H10N30/05 H10N30/072 H03H3/02 H03H9/145 H03H9/17 H10N30/03 H10N30/045 H10N30/085 H10N30/086 H10N30/20 H10N30/85 H10N30/853

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

複合基板、複合基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7566119B1 ,2024-10-11

[2]

複合基板およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013002212A1 ,2015-02-23

[3]

半導体基板の製造方法、半導体基板、複合半導体基板の製造方法、複合半導体基板、および半導体接合基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016114382A1 ,2017-11-30

[4]

複合圧電体材料、複合圧電体素子及び複合圧電体材料用フィラー[ja] [P].

日本专利 :JP6875206B2 ,2021-05-19

[5]

複合基板[ja] [P].

日本专利 :JP2025155678A ,2025-10-14

[6]

複合基板[ja] [P].

日本专利 :JP7584721B1 ,2024-11-15

[7]

ダイヤモンド複合基板及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004067812A1 ,2006-05-18

[8]

複合材料及びその製造のための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022534025A ,2022-07-27

[9]

圧電体材料用フィラー、複合圧電体材料及び複合圧電体素子[ja] [P].

日本专利 :JP6438530B2 ,2018-12-12

[10]

強誘電体薄膜、強誘電体薄膜の製造方法、圧電体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012063642A1 ,2014-05-12

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