めっき処理されたガラス基材の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20180148916

申请日：

2018-08-07

公开(公告)号：

JP6620277B1

公开(公告)日：

2019-12-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C18/18

IPC分类号：

C03C17/38

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法律状态信息

共 50 条

[1]

排ガス後処理のための装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022537838A ,2022-08-30

[2]

触媒されたモノリスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019512374A ,2019-05-16

[3]

無電解めっき方法、およびめっき皮膜が形成された非導電性被めっき物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006035556A1 ,2008-05-15

[4]

排ガスを後処理するための装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022538140A ,2022-08-31

[5]

水素の製造方法、アンモニア含有ガスの処理材および処理材の製造方法[ja] [P].

CHIBA AYAKA ;

USUI NORIHIRO ;

KAMIYA TAKASHI ;

ABE NOBUHIKO ;

YANAGIYA SHOHEI ;

SUGISAWA KEN ;

HASEGAWA AKIRA ;

KOBUNE MARINA .

日本专利 :JP2024036863A ,2024-03-18

[6]

無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009016979A1 ,2010-10-14

[7]

排気ガスを処理するための排気ガス処理システム及びその使用[ja] [P].

日本专利 :JP2022525278A ,2022-05-12

[8]

無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009016980A1 ,2010-10-14

[9]

排ガス後処理装置および排ガス後処理装置を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023504921A ,2023-02-07

[10]

無電解めっき用触媒、これを用いた金属皮膜及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5648232B1 ,2015-01-07

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