半導体デバイスおよびその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220552997
申请日
2021-03-03
公开(公告)号
JP2023500979A
公开(公告)日
2023-01-11
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/338
IPC分类号
H01L21/337
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021508944A ,2021-03-11
[2]
[3]
パワー半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017529697A ,2017-10-05
[5]
半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30
[6]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21
[7]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7743671B1 ,2025-09-24
[8]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025135421A ,2025-09-18
[10]