半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20240033262

申请日：

2024-03-05

公开(公告)号：

JP2025135421A

公开(公告)日：

2025-09-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H01L21/266 H10D12/00 H10D30/01

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共 50 条

[1]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21

[2]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7743671B1 ,2025-09-24

[3]

半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30

[4]

半導体検査装置及び半導体検査方法[ja] [P].

SHIGA MAKOTO .

日本专利 :JP2024135457A ,2024-10-04

[5]

窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014148255A1 ,2017-02-16

[6]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010023812A1 ,2012-01-26

[7]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017138505A1 ,2018-12-06

[8]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013080641A1 ,2015-04-27

[9]

半導体装置[ja] [P].

MATSUMOTO KOICHI .

日本专利 :JP2024034336A ,2024-03-13

[10]

半導体装置[ja] [P].

EGAMI YOSHIMITSU ;

NUMATA ATSUSHI .

日本专利 :JP2024150247A ,2024-10-23

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