学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220138514
申请日
:
2022-08-31
公开(公告)号
:
JP2024034336A
公开(公告)日
:
2024-03-13
发明(设计)人
:
MATSUMOTO KOICHI
申请人
:
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3205
IPC分类号
:
H01L21/8234
H01L21/336
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010023812A1
,2012-01-26
[2]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017138505A1
,2018-12-06
[3]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013080641A1
,2015-04-27
[4]
半導体装置[ja]
[P].
EGAMI YOSHIMITSU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
EGAMI YOSHIMITSU
;
NUMATA ATSUSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
NUMATA ATSUSHI
.
日本专利
:JP2024150247A
,2024-10-23
[5]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019155504A1
,2021-01-28
[6]
半導体演算装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017208901A1
,2019-03-28
[7]
半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP7574964B1
,2024-10-29
[8]
半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2022145705A
,2022-10-04
[9]
半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146778A
,2025-10-03
[10]
半導体発光装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014199851A1
,2017-02-23
←
1
2
3
4
5
→