半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20230063568
申请日
2023-04-10
公开(公告)号
JP2024150247A
公开(公告)日
2024-10-23
发明(设计)人
EGAMI YOSHIMITSU NUMATA ATSUSHI
申请人
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
申请人地址
IPC主分类号
G06K19/06
IPC分类号
H01L23/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010023812A1 ,2012-01-26
[2]
半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017138505A1 ,2018-12-06
[3]
半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013080641A1 ,2015-04-27
[4]
半導体装置[ja] [P]. 
MATSUMOTO KOICHI .
日本专利 :JP2024034336A ,2024-03-13
[5]
半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019155504A1 ,2021-01-28
[6]
半導体演算装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017208901A1 ,2019-03-28
[7]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP7574964B1 ,2024-10-29
[8]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022145705A ,2022-10-04
[9]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025146778A ,2025-10-03
[10]
半導体発光装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014199851A1 ,2017-02-23