半導体デバイス及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200535533

申请日：

2019-04-30

公开(公告)号：

JP2021508944A

公开(公告)日：

2021-03-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/337 H01L29/778 H01L29/78 H01L29/808 H01L29/812

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共 50 条

[1]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023500979A ,2023-01-11

[2]

パワー半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017529697A ,2017-10-05

[3]

半導体デバイス、その製造方法、及び半導体パッケージ構造[ja] [P].

日本专利 :JP2022533082A ,2022-07-21

[4]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7743671B1 ,2025-09-24

[5]

フィン状半導体デバイス、その製造方法および応用[ja] [P].

日本专利 :JP2023519757A ,2023-05-12

[6]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2025135421A ,2025-09-18

[7]

半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21

[9]

半導体デバイスの電界分布測定方法と装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005022180A1 ,2006-11-09

[10]

熱拡散デバイス及びその利用[ja] [P].

FUNAYAMA KEITA ;

MIURA ATSUSHI ;

TANAKA HIROYA .

日本专利 :JP2024136200A ,2024-10-04

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