学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20070538751
申请日
:
2006-10-02
公开(公告)号
:
JPWO2007040189A1
公开(公告)日
:
2009-04-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8246
IPC分类号
:
G11C11/15
H01L27/105
H01L29/82
H10N50/10
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009145161A1
,2011-10-13
[2]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008108109A1
,2010-06-10
[3]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004006335A1
,2005-11-10
[4]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004114409A1
,2006-08-03
[5]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008120482A1
,2010-07-15
[6]
磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009101827A1
,2011-06-09
[7]
磁性体装置及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008102499A1
,2010-05-27
[8]
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012137911A1
,2014-07-28
[9]
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009122990A1
,2011-07-28
[10]
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009060749A1
,2011-03-24
←
1
2
3
4
5
→