塗布型材料、太陽電池素子及び電界効果パッシベーション膜付シリコン基板[ja]

被引：0

申请号：

JP20140525901

申请日：

2013-07-19

公开(公告)号：

JP6350279B2

公开(公告)日：

2018-07-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L31/0216

IPC分类号：

C09D1/00 H01L21/316 H01L31/068

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共 7 条

[1]

パッシベーション膜、塗布型材料、太陽電池素子及びパッシベーション膜付シリコン基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014014117A1 ,2016-07-07

[2]

パッシベーション膜、塗布型材料、太陽電池素子及びパッシベーション膜付シリコン基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014014116A1 ,2016-07-07

[3]

パッシベーション膜、塗布型材料、太陽電池素子及びパッシベーション膜付シリコン基板[ja] [P].

日本专利 :JP6434310B2 ,2018-12-05

[4]

パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層形成用塗布型材料及び太陽電池素子[ja] [P].

日本专利 :JP6295673B2 ,2018-03-20

[5]

シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ−型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2019519121A ,2019-07-04

[6]

シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2023029379A ,2023-03-03

[7]

シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

SAPTHARISHI SRIRAM ;

ALEXANDER SUVOROV ;

CHRISTER HALLIN .

日本专利 :JP2024156010A ,2024-10-31