学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
共通ゲート・スタックを有するデュアル・チャネルCMOS[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190561861
申请日
:
2018-05-11
公开(公告)号
:
JP2020520108A
公开(公告)日
:
2020-07-02
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/78
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
局所酸化物を有するゲートオールアラウンドデバイスアーキテクチャ[ja]
[P].
日本专利
:JP7023284B2
,2022-02-21
[2]
局所酸化物を有するゲートオールアラウンドデバイスアーキテクチャ[ja]
[P].
日本专利
:JP2019530255A
,2019-10-17
[3]
縦チャンネルと横チャンネルを有する固体酸化物燃料電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2016504730A
,2016-02-12
[4]
縦チャンネルと横チャンネルを有する固体酸化物燃料電池[ja]
[P].
日本专利
:JP6001193B2
,2016-10-05
[5]
デュアルポアデバイスを作製する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023509763A
,2023-03-09
[6]
冷却剤チャネルを有する積層ウェハ[ja]
[P].
日本专利
:JP2016512655A
,2016-04-28
[7]
薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023526693A
,2023-06-22
[8]
薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7246581B2
,2023-03-27
[9]
薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7403706B2
,2023-12-22
[10]
薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023504301A
,2023-02-02
←
1
2
3
4
5
→