磁性構造体、インダクタンス素子およびその製造方法、電極内蔵基板およびその製造方法、インターポーザ、シールド基板およびモジュール[ja]

被引:0
申请号
JP20160546671
申请日
2015-09-02
公开(公告)号
JPWO2016035818A1
公开(公告)日
2017-06-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01F17/04
IPC分类号
H01F27/36
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
インターポーザー用基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014087877A1 ,2017-01-05
[2]
光モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018211636A1 ,2019-11-07
[3]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6891965B2 ,2021-06-18
[4]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019045088A1 ,2020-07-27
[5]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017002775A1 ,2018-04-12
[6]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017026430A1 ,2018-06-21
[7]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6414639B2 ,2018-10-31
[8]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6182969B2 ,2017-08-23
[9]
高周波モジュールおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6512298B2 ,2019-05-15
[10]
ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006137401A1 ,2009-01-22