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金属酸化物膜及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180156015
申请日
:
2018-08-23
公开(公告)号
:
JP6553266B2
公开(公告)日
:
2019-07-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/08
IPC分类号
:
H01L21/363
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属酸化物膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6199581B2
,2017-09-20
[2]
金属酸化物膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6733015B2
,2020-07-29
[3]
半導体装置及び金属酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6297625B2
,2018-03-20
[4]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5946624B2
,2016-07-06
[5]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6110917B2
,2017-04-05
[6]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6050020B2
,2016-12-21
[7]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6207018B2
,2017-10-04
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6043387B2
,2016-12-14
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5716070B2
,2015-05-13
[10]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6033907B2
,2016-11-30
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