金属酸化物膜及び半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20180156015
申请日
2018-08-23
公开(公告)号
JP6553266B2
公开(公告)日
2019-07-31
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C14/08
IPC分类号
H01L21/363 H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
金属酸化物膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6199581B2 ,2017-09-20
[2]
金属酸化物膜及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6733015B2 ,2020-07-29
[3]
半導体装置及び金属酸化物膜[ja] [P]. 
日本专利 :JP6297625B2 ,2018-03-20
[4]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5946624B2 ,2016-07-06
[5]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6110917B2 ,2017-04-05
[6]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6050020B2 ,2016-12-21
[7]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6207018B2 ,2017-10-04
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6043387B2 ,2016-12-14
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5716070B2 ,2015-05-13
[10]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6033907B2 ,2016-11-30