二酸化珪素膜およびその形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体並びにプラズマCVD装置[ja]

被引:0
申请号
JP20100531936
申请日
2009-09-29
公开(公告)号
JPWO2010038887A1
公开(公告)日
2012-03-01
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C16/42
IPC分类号
H01L21/316 C23C16/511 H01L21/31 H10B69/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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[5]
プラズマ焼成装置及びプラズマ焼成方法並びに導電性パターンの形成方法[ja] [P]. 
TAKAGISHI KENSUKE ;
BAI LU ;
HITOMI YASUFUMI .
日本专利 :JP2025040578A ,2025-03-25