縦型電界効果トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20180511421

申请日：

2016-09-09

公开(公告)号：

JP2018534760A

公开(公告)日：

2018-11-22

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/28 H01L27/144 H01L27/146 H01L29/417 H01L29/43 H01L31/10 H01L51/05 H01L51/30

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共 34 条

[1]

電界効果トランジスタ型発光素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003071608A1 ,2005-06-16

[2]

化学増幅型フォトレジスト[ja] [P].

日本专利 :JP2023502762A ,2023-01-25

[3]

ノボラック／ＤＮＱベースの化学増幅型フォトレジスト[ja] [P].

日本专利 :JP2021524604A ,2021-09-13

[4]

感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016158881A1 ,2018-03-08

[5]

ペルブスカイト材料のチタン酸塩界面層[ja] [P].

日本专利 :JP2018515931A ,2018-06-14

[6]

感放射線性組成物、アモルファス膜及びレジストパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016158456A1 ,2018-02-08

[7]

光活性化合物及び化学増幅型フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP5702525B2 ,2015-04-15

[8]

光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

EMAD AQAD ;

THOMAS MARANGONI ;

CEN YINJIE ;

PAUL J LABEAUME ;

LI MINGQI ;

JAMES F CAMERON .

日本专利 :JP2024012132A ,2024-01-25

[9]

光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025160272A ,2025-10-22

[10]

光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

EMAD AQAD ;

PAKU JON GUN ;

CEN YINJIE ;

LEE CHOONG-BONG .

日本专利 :JP2025108731A ,2025-07-23

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