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電界効果トランジスタ型発光素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20030570405
申请日
:
2003-02-18
公开(公告)号
:
JPWO2003071608A1
公开(公告)日
:
2005-06-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L33/00
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007125671A1
,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009038120A1
,2011-01-06
[3]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008047896A1
,2010-02-25
[4]
縦型電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2018534760A
,2018-11-22
[5]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2014530490A
,2014-11-17
[6]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2015507840A
,2015-03-12
[7]
GaN系電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003071607A1
,2005-06-16
[8]
ヘテロ接合電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2017514316A
,2017-06-01
[9]
発光トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011099525A1
,2013-06-13
[10]
電界効果型トランジスタおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005008784A1
,2006-09-28
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