電界効果トランジスタ型発光素子[ja]

被引:0
申请号
JP20030570405
申请日
2003-02-18
公开(公告)号
JPWO2003071608A1
公开(公告)日
2005-06-16
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L33/00
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[4]
縦型電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018534760A ,2018-11-22
[5]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2014530490A ,2014-11-17
[6]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015507840A ,2015-03-12
[7]
GaN系電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003071607A1 ,2005-06-16
[8]
ヘテロ接合電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017514316A ,2017-06-01
[9]
発光トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011099525A1 ,2013-06-13
[10]
電界効果型トランジスタおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005008784A1 ,2006-09-28