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光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20250120851
申请日：
2025-07-17
公开(公告)号：
JP2025160272A
公开(公告)日：
2025-10-22
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
C07D417/04
IPC分类号：
C07D275/06 G03F7/004 G03F7/039 G03F7/20
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
EMAD AQAD ;
THOMAS MARANGONI ;
CEN YINJIE ;
PAUL J LABEAUME ;
LI MINGQI ;
JAMES F CAMERON .
日本专利 :JP2024012132A ,2024-01-25
[2]
光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7741121B2 ,2025-09-17
[3]
光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
EMAD AQAD ;
PAKU JON GUN ;
CEN YINJIE ;
LEE CHOONG-BONG .
日本专利 :JP2025108731A ,2025-07-23
[4]
化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025160221A ,2025-10-22
[5]
化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015129700A1 ,2017-03-30
[6]
化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021517151A ,2021-07-15
[7]
化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7067831B2 ,2022-05-16
[8]
化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7001177B2 ,2022-01-19
[9]
化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021512854A ,2021-05-20
[10]
フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物[ja] [P]. 
日本专利 :JP6036545B2 ,2016-11-30
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