シリコンウェーハの研磨方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190517872

申请日：

2017-10-17

公开(公告)号：

JPWO2019077687A1

公开(公告)日：

2019-11-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

B24B37/00 B24B57/02 C09K3/14

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法律状态信息

共 50 条

[1]

シリコンウェーハの研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011135949A1 ,2013-07-18

[2]

シリコンウェーハの研磨方法[ja] [P].

AOKI TATSUHIKO ;

HIRASAWA MANABU ;

OKABE KAZUKI .

日本专利 :JP2023174393A ,2023-12-07

[3]

シリコンウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019043895A1 ,2020-03-26

[4]

シリコンウェーハの研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012002525A1 ,2013-08-29

[5]

シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012005289A1 ,2013-09-05

[6]

シリコンウェーハ粗研磨用組成物の製造方法、シリコンウェーハ粗研磨用組成物セット、およびシリコンウェーハの研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018025656A1 ,2019-06-20

[7]

シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016132676A1 ,2017-11-24

[8]

シリコンウェーハ粗研磨用組成物の濃縮液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018025655A1 ,2019-06-20

[9]

研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015050260A1 ,2017-03-09

[10]

シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023017823A ,2023-02-07

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