ＩＩＩ族窒化物半導体集積回路構造、その製造方法および使用[ja]

被引：0

申请号：

JP20220530180

申请日：

2021-03-03

公开(公告)号：

JP2023503944A

公开(公告)日：

2023-02-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/337

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共 50 条

[1]

窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014148255A1 ,2017-02-16

[2]

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012157198A1 ,2014-07-31

[3]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012077617A1 ,2014-05-19

[4]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018037530A1 ,2018-08-23

[5]

集積回路及びその製造方法[ja] [P].

FUKITOME HIROKAZU ;

SUEMITSU TETSUYA ;

WATANABE KAZUYO ;

KAWAHARA MINORU ;

AKIYAMA SHOJI ;

TOBISAKA YUUJI ;

KAWAI MAKOTO .

日本专利 :JP2024176869A ,2024-12-19

[6]

半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21

[8]

接合型半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010024237A1 ,2012-01-26

[9]

ＩＩＩ族金属窒化物結晶およびその形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022160588A ,2022-10-19

[10]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023500979A ,2023-01-11

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