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共役系高分子と絶縁体高分子を利用した複合高分子半導体およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190501922
申请日
:
2017-07-13
公开(公告)号
:
JP6732096B2
公开(公告)日
:
2020-07-29
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H10K99/00
H01L21/336
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
共役系高分子と絶縁体高分子を利用した複合高分子半導体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019527931A
,2019-10-03
[2]
高分子および高分子膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018135139A1
,2019-11-07
[3]
高分子複合薄膜、高分子複合薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7570634B2
,2024-10-22
[4]
高分子鎖の動態解析方法、高分子の製造方法、高分子、合成高分子の製造方法及び合成高分子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014104172A1
,2017-01-12
[5]
高分子鎖の動態解析方法、高分子の製造方法、高分子、合成高分子の製造方法及び合成高分子[ja]
[P].
日本专利
:JP6061277B2
,2017-01-18
[6]
高分子膜の製造方法および高分子膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5814074B2
,2015-11-17
[7]
高分子および当該高分子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6156818B2
,2017-07-05
[8]
共役高分子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5979153B2
,2016-08-24
[9]
星形高分子、星形高分子組成物および星形高分子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6294885B2
,2018-03-14
[10]
導電性高分子の製造方法および導電性高分子[ja]
[P].
日本专利
:JP6241840B2
,2017-12-06
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