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蓄電デバイス用Si系合金負極材料の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140107687
申请日
:
2014-05-26
公开(公告)号
:
JP6697838B2
公开(公告)日
:
2020-05-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01M4/38
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
蓄電デバイス用Si系合金負極材料およびそれを用いた電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6735060B2
,2020-08-05
[2]
蓄電デバイス用Si系合金負極材料およびそれを用いた電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6371504B2
,2018-08-08
[3]
蓄電デバイス用Si系合金負極材料およびそれを用いた電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6371635B2
,2018-08-08
[4]
蓄電デバイス用Si系合金負極材料およびそれを用いた電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6076772B2
,2017-02-08
[5]
Si系合金負極材料[ja]
[P].
日本专利
:JP6322362B2
,2018-05-09
[6]
電子材料用Cu−Ni−Si系合金、Cu−Co−Si系合金及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6205105B2
,2017-09-27
[7]
鋳造用Al−Si系合金およびAl−Si系合金鋳塊の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6798928B2
,2020-12-09
[8]
電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011036804A1
,2013-02-14
[9]
電子材料用Cu−Ni−Si系合金[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011125153A1
,2013-07-08
[10]
電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009041197A1
,2011-01-20
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