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半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20080538682
申请日
:
2007-10-03
公开(公告)号
:
JPWO2008044579A1
公开(公告)日
:
2010-02-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08L63/00
IPC分类号
:
C08K3/22
C08K3/26
C08K3/34
H01L23/29
H01L23/31
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006011662A1
,2008-05-01
[2]
半導体組成物、半導体樹脂複合組成物、半導体センサ、半導体組成物の製造方法及び半導体樹脂複合組成物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019208324A1
,2020-12-17
[3]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019145827A1
,2021-01-28
[4]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019102314A1
,2020-11-26
[5]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460591B2
,2019-01-30
[6]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja]
[P].
SAKAZUME TAKAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SAKAZUME TAKAHIRO
.
日本专利
:JP2025116201A
,2025-08-07
[7]
半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020013262A1
,2021-08-02
[8]
半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020013259A1
,2021-07-15
[9]
半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020013260A1
,2021-08-02
[10]
半導体磁器組成物およびPTC素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016002714A1
,2017-04-27
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