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半導体組成物、半導体樹脂複合組成物、半導体センサ、半導体組成物の製造方法及び半導体樹脂複合組成物の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200516253
申请日
:
2019-04-16
公开(公告)号
:
JPWO2019208324A1
公开(公告)日
:
2020-12-17
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G19/00
IPC分类号
:
C08K3/22
C08L101/00
H01L29/84
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体磁器組成物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013157650A1
,2015-12-21
[2]
金属酸化物半導体粒子分散体組成物および半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5936106B2
,2016-06-15
[3]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013168237A1
,2015-12-24
[4]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013030922A1
,2015-03-23
[5]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013114562A1
,2015-05-11
[6]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014155739A1
,2017-02-16
[7]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013168623A1
,2016-01-07
[8]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5631497B1
,2014-11-26
[9]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013168238A1
,2015-12-24
[10]
金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、金属酸化物半導体層の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6341372B2
,2018-06-13
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