半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20120549168

申请日：

2012-05-08

公开(公告)号：

JPWO2013168238A1

公开(公告)日：

2015-12-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

C03C8/02 H01L21/329 H01L29/861 H01L29/868

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共 50 条

[1]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013168237A1 ,2015-12-24

[2]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013030922A1 ,2015-03-23

[3]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014155739A1 ,2017-02-16

[4]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013168623A1 ,2016-01-07

[5]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013114562A1 ,2015-05-11

[6]

半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5631497B1 ,2014-11-26

[7]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[8]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

KABUYANAGI SHOICHI ;

SUGIZAKI TAKESHI ;

FUJII AKISUKE .

日本专利 :JP2023180904A ,2023-12-21

[9]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013168314A1 ,2015-12-24

[10]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

SHIMIZU TATSUO .

日本专利 :JP2025042573A ,2025-03-27

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