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半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120549168
申请日
:
2012-05-08
公开(公告)号
:
JPWO2013168238A1
公开(公告)日
:
2015-12-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
C03C8/02
H01L21/329
H01L29/861
H01L29/868
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019135137A1
,2020-12-24
[22]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
KAMINAGA MASAMI
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KAMINAGA MASAMI
;
KUROSAKI DAISUKE
论文数:
0
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0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KUROSAKI DAISUKE
;
TAMURA SHIORI
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
TAMURA SHIORI
;
HIZUKA JUNICHI
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HIZUKA JUNICHI
;
IGUCHI TAKAHIRO
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
IGUCHI TAKAHIRO
;
SHIODA EIJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SHIODA EIJI
.
日本专利
:JP2025042595A
,2025-03-27
[23]
半導体装置の作製方法、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146906A
,2025-10-03
[24]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6138394B1
,2017-05-31
[25]
半導体装置、及び、半導体装置の作製方法[ja]
[P].
HIZUKA JUNICHI
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HIZUKA JUNICHI
;
OKAZAKI KENICHI
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
OKAZAKI KENICHI
;
KUROSAKI DAISUKE
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KUROSAKI DAISUKE
;
SHIMA YUKINORI
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SHIMA YUKINORI
;
HOSAKA HIROYASU
论文数:
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HOSAKA HIROYASU
.
日本专利
:JP2022017592A
,2022-01-25
[26]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
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0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
;
SUZAWA HIDEOMI
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SUZAWA HIDEOMI
;
OKAZAKI YUTAKA
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
OKAZAKI YUTAKA
;
MIYAIRI HIDEKAZU
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
MIYAIRI HIDEKAZU
.
日本专利
:JP2024116165A
,2024-08-27
[27]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025134014A
,2025-09-11
[28]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
MIYAIRI HIDEKAZU
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
MIYAIRI HIDEKAZU
;
AKIMOTO KENGO
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
AKIMOTO KENGO
;
NAKAMURA YASUO
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
NAKAMURA YASUO
.
日本专利
:JP2022044772A
,2022-03-17
[29]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[30]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6495808B2
,2019-04-03
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