半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20120549168
申请日
2012-05-08
公开(公告)号
JPWO2013168238A1
公开(公告)日
2015-12-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/316
IPC分类号
C03C8/02 H01L21/329 H01L29/861 H01L29/868
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[21]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019135137A1 ,2020-12-24
[22]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
KAMINAGA MASAMI ;
KUROSAKI DAISUKE ;
TAMURA SHIORI ;
HIZUKA JUNICHI ;
IGUCHI TAKAHIRO ;
SHIODA EIJI .
日本专利 :JP2025042595A ,2025-03-27
[23]
半導体装置の作製方法、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025146906A ,2025-10-03
[24]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6138394B1 ,2017-05-31
[25]
半導体装置、及び、半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
HIZUKA JUNICHI ;
OKAZAKI KENICHI ;
KUROSAKI DAISUKE ;
SHIMA YUKINORI ;
HOSAKA HIROYASU .
日本专利 :JP2022017592A ,2022-01-25
[26]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
YAMAZAKI SHUNPEI ;
SUZAWA HIDEOMI ;
OKAZAKI YUTAKA ;
MIYAIRI HIDEKAZU .
日本专利 :JP2024116165A ,2024-08-27
[27]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025134014A ,2025-09-11
[28]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
MIYAIRI HIDEKAZU ;
AKIMOTO KENGO ;
NAKAMURA YASUO .
日本专利 :JP2022044772A ,2022-03-17
[29]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19
[30]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6495808B2 ,2019-04-03