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金属酸化物半導体粒子分散体組成物および半導体の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110257954
申请日
:
2011-11-25
公开(公告)号
:
JP5936106B2
公开(公告)日
:
2016-06-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/368
IPC分类号
:
B82Y30/00
H01B1/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
粒子分散体の製造方法及び酸化物半導体粒子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5920312B2
,2016-05-18
[2]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6685476B2
,2020-04-22
[3]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019003861A1
,2019-11-07
[4]
金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、金属酸化物半導体層の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6341372B2
,2018-06-13
[5]
半導体組成物、半導体樹脂複合組成物、半導体センサ、半導体組成物の製造方法及び半導体樹脂複合組成物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019208324A1
,2020-12-17
[6]
酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7173070B2
,2022-11-16
[7]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460591B2
,2019-01-30
[8]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja]
[P].
SAKAZUME TAKAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SAKAZUME TAKAHIRO
.
日本专利
:JP2025116201A
,2025-08-07
[9]
粒子分散体を製造する方法並びに酸化物半導体粒子、金属粒子及び半金属粒子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5691136B2
,2015-04-01
[10]
酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025010084A
,2025-01-20
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