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半導体強誘電体記憶トランジスタおよびその製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20140519960
申请日：
2013-05-30
公开(公告)号：
JPWO2013183547A1
公开(公告)日：
2016-01-28
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10B20/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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