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トランジスタ及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220137406
申请日
:
2022-08-31
公开(公告)号
:
JP2022169759A
公开(公告)日
:
2022-11-09
发明(设计)人
:
YAMAZAKI SHUNPEI
申请人
:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H10B12/00
H10B41/70
H10B99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
トランジスタ、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460614B1
,2019-01-30
[2]
酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6305683B2
,2018-04-04
[3]
トランジスタ及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7130085B2
,2022-09-02
[4]
半導体,半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099863A1
,2010-05-27
[5]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7721837B1
,2025-08-12
[6]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7714834B1
,2025-07-29
[7]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7715966B1
,2025-07-30
[8]
薄膜トランジスタ、半導体装置及び薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015151337A1
,2017-04-13
[9]
酸化物半導体薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP7681959B2
,2025-05-23
[10]
トランジスタ、発光表示装置、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7390520B1
,2023-12-01
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