トランジスタ及び半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20220137406
申请日
2022-08-31
公开(公告)号
JP2022169759A
公开(公告)日
2022-11-09
发明(设计)人
YAMAZAKI SHUNPEI
申请人
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H10B12/00 H10B41/70 H10B99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
トランジスタ、半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6460614B1 ,2019-01-30
[2]
[3]
トランジスタ及び酸化物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JP7130085B2 ,2022-09-02
[4]
[5]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP7721837B1 ,2025-08-12
[6]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP7714834B1 ,2025-07-29
[7]
トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP7715966B1 ,2025-07-30
[9]
酸化物半導体薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP7681959B2 ,2025-05-23
[10]
トランジスタ、発光表示装置、半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7390520B1 ,2023-12-01