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酸化物、電気導体、p型半導体、及びn型半導体[ja]
被引:0
申请号
:
JP20080222351
申请日
:
2008-08-29
公开(公告)号
:
JP5626946B2
公开(公告)日
:
2014-11-19
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G49/00
IPC分类号
:
C04B35/00
C04B35/40
H01B1/08
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
p型酸化物半導体及びp型酸化物半導体を含む半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7678955B2
,2025-05-19
[2]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[3]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6495808B2
,2019-04-03
[4]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6933400B2
,2021-09-08
[5]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7037197B2
,2022-03-16
[6]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155034A1
,2019-12-19
[7]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5946624B2
,2016-07-06
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6110917B2
,2017-04-05
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6050020B2
,2016-12-21
[10]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6207018B2
,2017-10-04
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