酸化物、電気導体、p型半導体、及びn型半導体[ja]

被引:0
申请号
JP20080222351
申请日
2008-08-29
公开(公告)号
JP5626946B2
公开(公告)日
2014-11-19
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C01G49/00
IPC分类号
C04B35/00 C04B35/40 H01B1/08
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19
[3]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6495808B2 ,2019-04-03
[4]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6933400B2 ,2021-09-08
[5]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7037197B2 ,2022-03-16
[6]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155034A1 ,2019-12-19
[7]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5946624B2 ,2016-07-06
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6110917B2 ,2017-04-05
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6050020B2 ,2016-12-21
[10]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6207018B2 ,2017-10-04