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化合物半導体基板の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140069566
申请日
:
2014-03-28
公开(公告)号
:
JP6283245B2
公开(公告)日
:
2018-02-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/205
IPC分类号
:
C23C16/18
H01L21/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6450086B2
,2019-01-09
[2]
化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7034723B2
,2022-03-14
[3]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[4]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[5]
化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6925117B2
,2021-08-25
[6]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6450282B2
,2019-01-09
[7]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7726426B1
,2025-08-20
[8]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7550557B2
,2024-09-13
[9]
化合物半導体接合基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7635838B2
,2025-02-26
[10]
化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7185996B2
,2022-12-08
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