化合物半導体基板の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20140069566
申请日
2014-03-28
公开(公告)号
JP6283245B2
公开(公告)日
2018-02-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
C23C16/18 H01L21/20
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6450086B2 ,2019-01-09
[2]
化合物半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7034723B2 ,2022-03-14
[9]
化合物半導体接合基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7635838B2 ,2025-02-26
[10]
化合物半導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7185996B2 ,2022-12-08