化合物半導体接合基板の製造方法[ja]

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申请号
JP20230524035
申请日
2022-03-17
公开(公告)号
JP7635838B2
公开(公告)日
2025-02-26
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/02
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
化合物半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6450086B2 ,2019-01-09
[2]
化合物半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6283245B2 ,2018-02-21
[3]
化合物半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7034723B2 ,2022-03-14
[10]
化合物半導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7185996B2 ,2022-12-08