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半導体レーザ検査装置及び半導体レーザ検査方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210167353
申请日
:
2021-10-12
公开(公告)号
:
JP2022089153A
公开(公告)日
:
2022-06-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01R31/26
IPC分类号
:
H01L21/66
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体レーザ検査装置及び半導体レーザ検査方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7040671B1
,2022-03-23
[2]
半導体レーザ光源装置、半導体レーザ光源システムおよび映像表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016132622A1
,2017-06-08
[3]
半導体レーザー装置及びヒートシンクの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025008854A
,2025-01-20
[4]
半導体モジュール、及び、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025165536A
,2025-11-05
[5]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141384A1
,2017-04-06
[6]
半導体製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006111804A1
,2008-11-20
[7]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010143273A1
,2012-11-22
[8]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025179592A
,2025-12-10
[9]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014045766A1
,2016-08-18
[10]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAKANO HAYATO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJI ELECTRIC CO LTD
FUJI ELECTRIC CO LTD
NAKANO HAYATO
.
日本专利
:JP2024048689A
,2024-04-09
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