抗ＣＤ３８抗体の生成中の微量金属の制御[ja]

被引：0

申请号：

JP20210525797

申请日：

2019-11-13

公开(公告)号：

JP2022513018A

公开(公告)日：

2022-02-07

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C12P21/08

IPC分类号：

A61K38/46 A61K39/395 A61K47/20 A61K47/22 A61K47/26 A61P1/00 A61P1/04 A61P3/10 A61P7/04 A61P7/06 A61P9/10 A61P11/06 A61P13/12 A61P17/00 A61P17/06 A61P19/02 A61P21/04 A61P25/00 A61P27/02 A61P29/00 A61P31/18 A61P31/22 A61P35/00 A61P37/02 A61P37/08

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 14 条

[1]

抗ＣＤ３８抗体の生成中の微量金属の制御[ja] [P].

日本专利 :JP7599418B2 ,2024-12-13

[2]

抗ＣＤ３８抗体の生成中の微量金属の制御[ja] [P].

NICOLE LARMORE ;

BALASUBRAMANIAN RAMANATHAN ;

RICHARD YEAGER .

日本专利 :JP2024129019A ,2024-09-26

[3]

シリコン中の微量金属の定量方法[ja] [P].

日本专利 :JP7441942B2 ,2024-03-01

[4]

シリコン中の微量金属の定量方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023506121A ,2023-02-15

[5]

微量金属分析用容器、その製造方法、微量金属分析の前処理方法、及び微量金属の分析方法[ja] [P].

SAEKI KOICHI ;

NAITO MAYU ;

WATANABE SHINYA ;

MIKAMI YUKARI .

日本专利 :JP2024039896A ,2024-03-25

[6]

微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja] [P].

日本专利 :JP6754842B2 ,2020-09-16

[7]

微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019511839A ,2019-04-25

[8]

微量金属の測定方法及び測定装置[ja] [P].

日本专利 :JP5830299B2 ,2015-12-09

[9]

微量金属を除去するための膜及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025505426A ,2025-02-26

[10]

電荷ストリッピング機構を用いたイオン注入システムにおける金属汚染制御のための装置および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023514089A ,2023-04-05

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