電子部品用金属薄膜および金属薄膜形成用Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材[ja]

被引：0

申请号：

JP20140042697

申请日：

2014-03-05

公开(公告)号：

JP6292471B2

公开(公告)日：

2018-03-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/285

IPC分类号：

C22C27/04 C22C30/00 C23C14/14 C23C14/34 H01B5/14 H01L21/28

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共 38 条

[1]

金属薄膜および金属薄膜形成用Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材[ja] [P].

日本专利 :JP6292466B2 ,2018-03-14

[2]

スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、および、光学機能膜[ja] [P].

日本专利 :JP2022143917A ,2022-10-03

[3]

金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法[ja] [P].

KAWASHIMA HIROYUKI ;

KOIKE KENJI ;

HATTORI KAZUKI ;

OTA ERIKO ;

NOMURA SHINTARO .

日本专利 :JP2024079651A ,2024-06-11

[4]

金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025015495A ,2025-01-30

[5]

パターン形成用フィルム及び金属薄膜パターンの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP5648424B2 ,2015-01-07

[6]

パターン形成用フィルム及び金属薄膜パターンの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP5617533B2 ,2014-11-05

[7]

導電性ペーストおよび金属薄膜[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011083813A1 ,2013-05-13

[8]

導電性ペーストおよび金属薄膜[ja] [P].

日本专利 :JP5692066B2 ,2015-04-01

[9]

ターゲット組立体およびターゲット組立体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7376742B1 ,2023-11-08

[10]

金属薄膜レジスタおよびプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2017502522A ,2017-01-19

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